来源:互联网 更新时间:2025-03-26 14:03
3月26日消息,莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁(Sergei Sobyanin)公开宣布,来自莫斯科的泽列诺格勒纳米中心(Zelenograd Nanotechnology Center),已经完成了俄罗斯第一台350nm光刻机的研发工作,即将批量投产。
早在2023年,俄罗斯就披露,将在2024年生产350nm光刻机,2026年生产130nm光刻机,承担这些任务的包括莫斯科、泽列诺格勒、圣彼得堡、新西伯利亚的多家工厂。
2024年5月,俄罗斯披露已完成第一台国产光刻机的组装,并正在测试,可生产350nm芯片。
谢尔盖·索比亚宁现在公布了俄罗斯国产350nm光刻机的第一张实物照片。
他强调:“全球有能力制造这种半导体关键设备的国家不足10个,俄罗斯已经跻身其中。这是俄罗斯迈向微电子国产化、达成技术独立的关键一步。”
据他披露,俄罗斯的光刻机和外国类似设备截然不同,没有使用汞灯作为光源,而是首次使用固体激光器,具有功率大、能效高、寿命长、光谱集中的优势。
同时,俄罗斯光刻机的工作区域面积达到了22x22毫米,最大可制造200mm直径晶圆。
值得一提的是,我国中科院研发成功的DUV激光光源技术,也是完全基于固态设计,有望推进至3nm节点,只是目前还存在功率、频率偏低的不足。
350nm工艺看起来很落后,但依然可以满足汽车、能源、通信等领域的部分需求,而且俄罗斯正在继续推进130nm光刻机的研发工作,预计明年即可完成。
另外,俄罗斯已经掌握65nm工艺制造技术,但依赖国外进口设备,目前也正在为65nm国产化做准备。
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