来源:互联网 更新时间:2025-04-02 10:24
西安奕斯伟材料科技股份有限公司近日公布一项名为“用于晶圆外延生长的基座和装置”的新专利(申请公布号:cn119530959a,申请公布日:2025年2月28日)。
该专利涉及半导体技术领域,旨在提升晶圆外延生长工艺的精度。专利描述了一种新型基座,其圆盘形承载结构由N个第一扇形区和N个第二扇形区构成,其中第一扇形区边缘区域厚度大于内部区域厚度,而第二扇形区厚度均匀。这种设计能够有效控制基座与晶圆之间不同区域的温差,从而调节晶圆生长速率,最终实现晶圆厚度更均匀,显著提升Nano品质。
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